HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

производител

Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

категория на продукта

транзистори - igbts - единични

Описание

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • тип igbt
    NPT
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    1200 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    5.3 A
  • ток - импулсен колектор (icm)
    6 A
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2.9V @ 15V, 1A
  • мощност - макс
    60 W
  • превключваща енергия
    70µJ (on), 90µJ (off)
  • тип вход
    Standard
  • заряд на вратата
    14 nC
  • td (вкл./изкл.) при 25°c
    15ns/67ns
  • тестово състояние
    960V, 1A, 82Ohm, 15V
  • време за обратно възстановяване (trr)
    -
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • пакет устройство на доставчика
    TO-252AA

HGTD1N120BNS9A Поискайте оферта

В наличност 14235
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.51000
Целева цена:
Обща сума:1.51000

Лист с данни