Спецификации

• серия
  HEXFET®
• пакет
  Tape & Reel (TR)
• състояние на част
  Not For New Designs
• фет тип
  2 N-Channel (Dual)
• fet функция
  Logic Level Gate
• напрежение от източване към източник (vdss)
  30V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  13A, 28A
• rds на (макс.) @ id, vgs
  8.6mOhm @ 12A, 10V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.35V @ 25µA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  12nC @ 4.5V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  1060pF @ 15V
• мощност - макс
  2.4W, 3.4W
• Работна температура
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтаж
  Surface Mount
• пакет/калъф
  18-PowerVQFN
• пакет устройство на доставчика
  PQFN (5x6)