IRF7341GTRPBF

IRF7341GTRPBF

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET N-CH 55V 5.1A

Спецификации

  • серия
    HEXFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual)
  • fet функция
    Standard
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    55V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    5.1A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    50mOhm @ 5.1A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1V @ 250µA (Min)
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    44nC @ 10V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    780pF @ 25V
  • мощност - макс
    2.4W
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • пакет устройство на доставчика
    8-SO

IRF7341GTRPBF Поискайте оферта

В наличност 15514
Количество:
Единична цена (референтна цена):
2.04000
Целева цена:
Обща сума:2.04000

Лист с данни