IPC50N04S55R8ATMA1

IPC50N04S55R8ATMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33

Спецификации

  • серия
    OptiMOS™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    40 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    50A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    7V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    5.8mOhm @ 25A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.4V @ 13µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    18 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±20V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1090 pF @ 25 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    42W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TDSON-8-33
  • пакет/калъф
    8-PowerTDFN

IPC50N04S55R8ATMA1 Поискайте оферта

В наличност 20506
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.02000
Целева цена:
Обща сума:1.02000

Лист с данни