IMBG120R350M1HXTMA1

IMBG120R350M1HXTMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

TRANS SJT N-CH 1.2KV 4.7A TO263

Спецификации

  • серия
    CoolSiC™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    1.2 kV
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    4.7A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    -
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    468mOhm @ 2A, 18V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    5.7V @ 1mA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    5.9 nC @ 18 V
  • vgs (макс.)
    +18V, -15V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    196 pF @ 800 V
  • fet функция
    Standard
  • разсейване на мощност (макс.)
    65W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TO263-7-12
  • пакет/калъф
    TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

IMBG120R350M1HXTMA1 Поискайте оферта

В наличност 6896
Количество:
Единична цена (референтна цена):
8.22000
Целева цена:
Обща сума:8.22000