FF200R12KE3B2HOSA1

FF200R12KE3B2HOSA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - igbts - модули

Описание

IGBT MOD 1200V 295A 1050W

Спецификации

  • серия
    -
  • пакет
    Tray
  • състояние на част
    Active
  • тип igbt
    -
  • конфигурация
    Half Bridge
  • напрежение - разбивка на емитер колектор (макс.)
    1200 V
  • ток - колектор (ic) (макс.)
    295 A
  • мощност - макс
    1050 W
  • vce(включено) (макс.) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 200A
  • прекъсване на тока - колектор (макс.)
    5 mA
  • входен капацитет (cies) @ vce
    14 nF @ 25 V
  • вход
    Standard
  • ntc термистор
    No
  • Работна температура
    -40°C ~ 125°C
  • тип монтаж
    Chassis Mount
  • пакет/калъф
    Module
  • пакет устройство на доставчика
    Module

FF200R12KE3B2HOSA1 Поискайте оферта

В наличност 1349
Количество:
Единична цена (референтна цена):
136.81500
Целева цена:
Обща сума:136.81500