DF23MR12W1M1PB11BPSA1

DF23MR12W1M1PB11BPSA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET MODULE 1200V

Спецификации

  • серия
    EasyPACK™
  • пакет
    Tray
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual)
  • fet функция
    Silicon Carbide (SiC)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    1200V (1.2kV)
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    25A (Tj)
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    45mOhm @ 25A, 15V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    5.55V @ 10mA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    62nC @ 15V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1840pF @ 800V
  • мощност - макс
    20mW
  • Работна температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Chassis Mount
  • пакет/калъф
    Module
  • пакет устройство на доставчика
    AG-EASY1B-2

DF23MR12W1M1PB11BPSA1 Поискайте оферта

В наличност 1465
Количество:
Единична цена (референтна цена):
90.60000
Целева цена:
Обща сума:90.60000