BSZ215CHXTMA1

BSZ215CHXTMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET N/P-CH 20V 8TSDSON

Спецификации

  • серия
    Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    N and P-Channel Complementary
  • fet функция
    Logic Level Gate, 2.5V Drive
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    20V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    5.1A, 3.2A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    55mOhm @ 5.1A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1.4V @ 110µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    2.8nC @ 4.5V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    419pF @ 10V
  • мощност - макс
    2.5W
  • Работна температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    8-PowerTDFN
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TSDSON-8

BSZ215CHXTMA1 Поискайте оферта

В наличност 15886
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.33000
Целева цена:
Обща сума:1.33000

Лист с данни