BSZ086P03NS3EGATMA1

BSZ086P03NS3EGATMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON

Спецификации

  • серия
    OptiMOS™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    P-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    30 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    13.5A (Ta), 40A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    6V, 10V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    8.6mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    3.1V @ 105µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    57.5 nC @ 10 V
  • vgs (макс.)
    ±25V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    4785 pF @ 15 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    2.1W (Ta), 69W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TSDSON-8
  • пакет/калъф
    8-PowerTDFN

BSZ086P03NS3EGATMA1 Поискайте оферта

В наличност 24697
Количество:
Единична цена (референтна цена):
0.84000
Целева цена:
Обща сума:0.84000

Лист с данни