BSG0810NDIATMA1

BSG0810NDIATMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

Спецификации

  • серия
    OptiMOS™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Active
  • фет тип
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
  • fet функция
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    25V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    19A, 39A
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    3mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2V @ 250µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    8.4nC @ 4.5V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    1040pF @ 12V
  • мощност - макс
    2.5W
  • Работна температура
    -55°C ~ 155°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    8-PowerTDFN
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TISON-8

BSG0810NDIATMA1 Поискайте оферта

В наличност 12258
Количество:
Единична цена (референтна цена):
2.66000
Целева цена:
Обща сума:2.66000

Лист с данни