BSC019N02KSGAUMA1

BSC019N02KSGAUMA1

производител

IR (Infineon Technologies)

категория на продукта

транзистори - fets, mosfets - единични

Описание

MOSFET N-CH 20V 30A/100A TDSON

Спецификации

  • серия
    OptiMOS™
  • пакет
    Tape & Reel (TR)
  • състояние на част
    Not For New Designs
  • фет тип
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    20 V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    30A (Ta), 100A (Tc)
  • задвижващо напрежение (макс. rds включено, min rds включено)
    2.5V, 4.5V
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    1.95mOhm @ 50A, 4.5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    1.2V @ 350µA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    85 nC @ 4.5 V
  • vgs (макс.)
    ±12V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    13000 pF @ 10 V
  • fet функция
    -
  • разсейване на мощност (макс.)
    2.8W (Ta), 104W (Tc)
  • Работна температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет устройство на доставчика
    PG-TDSON-8-1
  • пакет/калъф
    8-PowerTDFN

BSC019N02KSGAUMA1 Поискайте оферта

В наличност 17339
Количество:
Единична цена (референтна цена):
1.21958
Целева цена:
Обща сума:1.21958

Лист с данни