Спецификации

• серия
  eGaN®
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• състояние на част
  Active
• фет тип
  3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
• fet функция
  GaNFET (Gallium Nitride)
• напрежение от източване към източник (vdss)
  100V
• ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
  1.7A, 500mA
• rds на (макс.) @ id, vgs
  320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
• vgs(th) (макс.) @ id
  2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
• заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
  0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
• входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
  16pF @ 50V, 7pF @ 50V
• мощност - макс
  -
• Работна температура
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• тип монтаж
  Surface Mount
• пакет/калъф
  9-VFBGA
• пакет устройство на доставчика
  9-BGA (1.35x1.35)