EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

производител

EPC

категория на продукта

транзистори - фетове, мосфети - масиви

Описание

GANFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Спецификации

  • серия
    eGaN®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • състояние на част
    Discontinued at Digi-Key
  • фет тип
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet функция
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • напрежение от източване към източник (vdss)
    60V
  • ток - непрекъснат дренаж (id) при 25°c
    23A (Tj)
  • rds на (макс.) @ id, vgs
    4.4mOhm @ 20A, 5V
  • vgs(th) (макс.) @ id
    2.5V @ 7mA
  • заряд на затвора (qg) (макс.) @ vgs
    6.8nC @ 5V
  • входен капацитет (ciss) (макс.) @ vds
    830pF @ 30V
  • мощност - макс
    -
  • Работна температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • тип монтаж
    Surface Mount
  • пакет/калъф
    Die
  • пакет устройство на доставчика
    Die

EPC2102ENGRT Поискайте оферта

В наличност 7811
Количество:
Единична цена (референтна цена):
7.28000
Целева цена:
Обща сума:7.28000

Лист с данни